申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747636A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;G01R31/26;G01R19/165;H01L29/16;H01L29/78;H01L29/866;H01L27/07

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种单片集成过流检测结构的SiCMOSFET，包括多个串联的元胞，元胞包括PowerFET和SenseFET，SenseFET的片上集成有过流检测结构，过流检测结构包括集成于片上的polySi，polySi具有电阻Rs，电阻Rs与SenseFET串联，polySi一端与SenseFET的源极短接，polySi另一端与PowerFET的源极短接，Rs具有电压Vs，使得SenseFET的电流信号转换为电压信号Vs，其中，polySi的两端还并联有N+P+齐纳二极管，N+P+齐纳二极管具有N+型半导体和P+型半导体，N+型半导体和P+型半导体为元胞的基本注入形貌结构，从而实现在SiCMOSFET芯片内部实现电流实时准确检测，大幅简化SiCMOSFET器件过流检测电路，提升检测精度和检测延时。

主权项：1.一种单片集成过流检测结构的SiCMOSFET，包括多个串联的元胞，其特征在于，所述元胞包括PowerFET和SenseFET，所述SenseFET的片上集成有过流检测结构，所述过流检测结构包括集成于片上的polySi，所述polySi具有电阻Rs，所述电阻Rs与所述SenseFET串联，所述polySi一端与所述SenseFET的源极短接，所述polySi另一端与所述PowerFET的源极短接，所述Rs具有电压Vs，使得SenseFET的电流信号转换为电压信号Vs，其中，所述polySi的两端还并联有N+P+齐纳二极管，所述N+P+齐纳二极管具有N+型半导体和P+型半导体，所述N+型半导体和所述P+型半导体为所述元胞的基本注入形貌结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种单片集成过流检测结构的SiC MOSFET

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