申请/专利权人：厦门能强电子科技有限公司

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748957A

主分类号：H02M3/335

分类号：H02M3/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种双管反激拓扑电路，其连接于进电端和变压器的初级侧之间，包括MOS管、PNP三极管、NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和第二二极管。此外，本发明还涉及一种反激电源，包括进电端、出电端、PWM模块、上述的反激拓扑模块、变压器和输出整流滤波模块。本发明通过PNP三极管和NPN三级管组成双开关管，加上第一二极管、第二二级管及变压器可以构成双管反激拓扑结构，反激噪声小、可靠性高。通过MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻可以组成驱动电路，并有效解决双开关管反激拓扑天然带有的浮地驱动问题。本发明结构简单，相比于现有的双管反激电路，降低了驱动的复杂性，可以进一步缩小产品的尺寸，并降低产品成本。

主权项：1.一种双管反激拓扑电路，连接于进电端和变压器的初级侧之间，其特征在于：包括MOS管、PNP三极管、NPN三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管和第二二极管；其中，MOS管的漏极与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与第一电阻的一端及PNP三极管的基极连接，第一电阻的另一端与PNP三极管的发射极连接进电端正极Vblk，PNP三极管的集电极与第一二极管的负极连接变压器的初级侧一端，第一二极管的正极连接进电端负极GndBlk；MOS管的栅极用于接收PWM控制信号；MOS管的源极与第三电阻的一端及NPN三极管的基极连接，第三电阻的另一端与NPN三极管的发射极连接进电端负极GndBlk，NPN三极管的集电极与第二二极管的正极连接变压器的初级侧另一端，第二二极管的负极连接进电端正极Vblk。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门能强电子科技有限公司 一种双管反激拓扑电路及应用其的反激电源

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