申请/专利权人：大连科利德光电子材料有限公司

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117735557A

主分类号：C01B33/107

分类号：C01B33/107;D01F6/94;D01F1/10;B01D67/00;B01D71/64;B01D71/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及电子前驱体提纯领域，尤其涉及二碘硅烷的提纯方法，所述提纯方法包括以下步骤：（S.1）去除精馏纯化器中残留的空气；（S.2）将粗品二碘硅烷置于精馏纯化器中，逐渐降低精馏纯化器的温度至二碘硅烷的凝固临界温度，并在搅拌条件下向粗品二碘硅烷中持续通入携带气体；（S.3）进一步降低精馏纯化器的温度使得二碘硅烷凝固，同时对精馏纯化器内部进行减压处理，从而除去低沸点杂质；（S.4）对二碘硅烷进行精馏处理，收集馏分得到电子级二碘硅烷。本申请中通过在精馏过程中通过精准降低精馏纯化器中的温度至二碘硅烷的凝固临界温度以及凝固点以下的温度，从而能够有效降低粗品二碘硅烷中的低沸点杂质含量，最终制备得到电子级二碘硅烷。

主权项：1.二碘硅烷的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：（S.1）在精馏纯化器中进行抽真空以及通入携带气体的循环步骤，从而去除精馏纯化器中残留的空气；（S.2）将粗品二碘硅烷置于精馏纯化器中，逐渐降低精馏纯化器的温度至二碘硅烷的凝固临界温度，并在搅拌条件下向粗品二碘硅烷中持续通入携带气体；（S.3）进一步降低精馏纯化器的温度使得二碘硅烷凝固，同时对精馏纯化器内部进行减压处理，从而除去低沸点杂质；（S.4）同时提升精馏纯化器内部温度以及压力，对二碘硅烷进行精馏处理，收集馏分得到电子级二碘硅烷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大连科利德光电子材料有限公司 二碘硅烷的提纯方法

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