申请/专利权人：SPTS科技有限公司

申请日：2023-07-04

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737691A

主分类号：C23C16/40

分类号：C23C16/40;H01L21/02;C23C16/34;C23C16/505;C23C16/52

优先权：["20220921 GB 2213794.7"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本申请案的实施例涉及二氧化硅厚层的沉积。提供一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将二氧化硅沉积到衬底上的方法、一种上面沉积有至少一个二氧化硅层的衬底以及一种用于通过等离子体增强化学气相沉积将二氧化硅沉积到衬底上的等离子体增强化学气相沉积设备。

主权项：1.一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将二氧化硅沉积到衬底上的方法，所述方法包括以下步骤：在腔室中提供所述衬底；通过PECVD执行第一沉积步骤，以将中间层沉积到所述衬底上，所述中间层包括氮化硅；及通过PECVD执行第二沉积步骤，以将至少一个二氧化硅层沉积到所述中间层上，其中所述第一沉积步骤包括将包括硅烷、氮气及氢气或氨气的第一气体混合物引入所述腔室中，且在约220℃与约300℃之间的温度下在所述腔室中维持来自所述第一气体混合物的等离子体，以将所述中间层沉积到所述衬底上，其中所述第二沉积步骤包括将包括正硅酸四乙酯的第二气体混合物引入所述腔室中，且在约220℃与约300℃之间的温度下在所述腔室中维持来自所述第二气体混合物的等离子体，以将所述至少一个二氧化硅层沉积到所述中间层上，及其中所述中间层具有-400MPa与-100MPa之间的总压缩应力，且所述至少一个二氧化硅层中的每一者具有-50MPa与+50MPa之间的总中性应力，且所述至少一个二氧化硅层的总厚度为至少10μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： SPTS科技有限公司 二氧化硅厚层的沉积

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