申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747692A

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/0304

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAsGaSbAlSbGaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。

主权项：1.一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，其特征在于，所述双色探测器包括衬底，以及在所述衬底上外延生长的缓冲层；所述双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，所述短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，所述短波通道层包括：在所述缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在所述第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，所述第一M型结构和所述第二M型结构为InAsGaSbAlSbGaSb结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学 一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器

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