申请/专利权人：荣成歌尔微电子有限公司

申请日：2023-11-08

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747524A

主分类号：H01L21/683

分类号：H01L21/683;H01L21/66

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种PMI真空底座、植球后缺陷检测装置及其方法，涉及芯片封装技术领域。PMI真空底座包括用于真空吸附已植球基板的底板；设置于底板上的挡边，且挡板分别设置于已植球基板的两侧的翘曲面处；挡板的设置高度大于已植球基板的翘曲度。本发明通过在底板的两端设置用于夹持PCB基板的翘曲面的挡板；通过挡板结构与PCB基板产生翘曲的侧面形成闭合，阻碍气体流动，避免了植球机在吸平过程中漏真空情况的发生，使得翘曲度较大的PCB基板也可以通过植球机吸附变为平整；达到有效提升焊球缺陷检测的准确性，进而有助于保证BGA基板植球作业的正常进行，并提升成品合格率的技术效果。

主权项：1.一种PMI真空底座，用于真空吸附已植球基板，所述已植球基板包括PCB基板和已植球于所述PCB基板上的待检测焊球；其特征在于，所述PMI真空底座包括，底板，在所述底板上设置有用于连接真空发生装置的真空孔；至少一组挡板，所述一组挡板设置于所述底板的两端，且挡板设置于所述已植球基板的两侧的翘曲面处；所述挡板的设置高度大于所述已植球基板的翘曲度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 荣成歌尔微电子有限公司 PMI真空底座、植球后缺陷检测装置及其方法

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