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【发明公布】二价过渡金属掺杂的二硫化镍复合材料、制备方法及应用_武汉大学_202311593386.7 

申请/专利权人:武汉大学

申请日:2023-11-27

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117747768A

主分类号:H01M4/36

分类号:H01M4/36;H01M4/58;H01M4/38;H01M10/054

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本申请涉及一种二价过渡金属掺杂的二硫化镍复合材料、制备方法及应用,其包括如下步骤:将镍源、1,3,5‑苯三甲酸和4,4’‑联吡啶加入到溶剂中,再加入二价过渡金属源,并进行第一水热反应,以得到前驱体MOF材料;将前驱体MOF材料在保护气体下进行煅烧,以得到初级产物;将所述初级产物与硫源在溶剂中混合,并进行第二水热反应,以得到二价过渡金属掺杂的二硫化镍复合材料,其中,二价过渡金属源中的二价过渡金属离子半径不小于镍源中的镍离子半径。本申请可以解决相关技术中镍硫化物本身电导率较低,且由于转换反应机理带来的体积膨胀和材料粉末化导致电极材料长循环寿命大大缩短的问题。

主权项:1.一种二价过渡金属掺杂的二硫化镍复合材料的制备方法,其特征在于,其包括如下步骤:将镍源、1,3,5-苯三甲酸和4,4’-联吡啶加入到溶剂中,再加入二价过渡金属源,并进行第一水热反应,以得到前驱体MOF材料;将前驱体MOF材料在保护气体下进行煅烧,以得到初级产物;将所述初级产物与硫源在溶剂中混合,并进行第二水热反应,以得到二价过渡金属掺杂的二硫化镍复合材料,其中,二价过渡金属源中的二价过渡金属离子半径不小于镍源中的镍离子半径。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉大学 二价过渡金属掺杂的二硫化镍复合材料、制备方法及应用

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