申请/专利权人：正泰新能科技股份有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747678A

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;C23C16/50;C23C16/40;C23C16/24

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请公开了一种超薄隧穿氧化钝化接触太阳能电池及其制作方法，在半导体基底的背面设置有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，可以实现背面的超薄隧穿氧化钝化接触，在底电极与掺杂多晶硅层之间设置有底电极接触层，底电极接触层包括：超薄氧化层以及掺杂多晶碳化硅层，掺杂多晶碳化硅层能够在底电极烧结过程控制底电极的金属化深度，使得底电极与掺杂多晶硅层形成欧姆接触，且金属化范围不超过掺杂多晶硅掺杂层，能够避免烧结后底电极的金属材料烧穿超薄隧穿氧化层，避免由此导致的超薄隧穿氧化钝化接触效果不良问题，提高超薄隧穿氧化钝化接触效果，避免底电极的金属材料直接与半导体基底接触，减少金属接触复合，降低寄生吸收，提高光电转换效率。

主权项：1.一种超薄隧穿氧化钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基底，具有相对设置的正面和背面；所述背面具有金属栅线区以及位于所述金属栅线区两侧的非金属栅线区；覆盖所述背面的超薄隧穿氧化层；覆盖所述超薄隧穿氧化层的掺杂多晶硅层；图形化的底电极接触层，位于所述掺杂多晶硅层背离所述超薄隧穿氧化层的一侧表面，且位于所述金属栅线区内；位于所述底电极接触层背离所述掺杂多晶硅层的一侧表面的底电极；其中，所述底电极接触层包括：位于所述掺杂多晶硅层表面的超薄氧化层以及位于所述超薄氧化层表面的掺杂多晶碳化硅层，所述掺杂多晶碳化硅层用于在所述底电极烧结过程控制所述底电极的金属化深度，使得所述底电极与所述掺杂多晶硅层形成欧姆接触，且金属化范围不超过所述掺杂多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 正泰新能科技股份有限公司 一种超薄隧穿氧化钝化接触太阳能电池及其制作方法

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