申请/专利权人:河北利福光电技术有限公司
申请日:2024-01-12
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN117735494A
主分类号:C01B21/06
分类号:C01B21/06;B82Y40/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开
摘要:本发明提供了一种高纯亚微米级氮化镧粉体的制备方法,该制备方法包括以下步骤:将金属镧粉粒放入钼舟中,将钼舟置于烧结设备中,在抽真空条件下,升温至1000℃,保温2‑3h;然后,降温至300℃‑400℃,保温1‑2小时,保温过程中通入H2和NH3的混合气体;之后,在流通的N2气氛条件下,升温至850‑1100℃,保温2‑8小时;保温完成后,待温度自然冷却至室温,取出产物,经破碎、过筛得到高纯亚微米级氮化镧粉体。本发明制备过程简单,操作成本低,工艺窗口宽,得到的粉体粒径为0.01‑1μm,纯度达99.99%以上,适于大规模工业化生产,所制备的氮化镧粉体在磁性材料、氢能催化剂、半导体器件、电子产品、染料、钢铁等领域中广泛应用。
主权项:1.一种高纯亚微米级氮化镧粉体,其特征在于,粒径为0.01-1μm,纯度≥99.99%。
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权利要求:
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