申请/专利权人：广东省科学院半导体研究所

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747594A

主分类号：H01L23/538

分类号：H01L23/538;H01L21/48;H01L23/367;H10B80/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明的实施例提供了一种扇出封装结构及扇出封装方法，涉及存储器芯片领域。该扇出封装结构包括：芯片、内衬基板、贴片层、包封层、绝缘支撑层、互连线、封装引脚、第一导电层以及第二导电层。该扇出封装结构采用扇出封装方法制备而成，通过各个导电层进行电信号传递，无需在芯片上开设硅通孔，降低了工艺难度，提高了生产效率，降低了成本；并且芯片贴装在内衬基板的两侧，无需通过热压键合固定，可以降低制造成本并提高散热能力，使得产品性能也能得到提升。

主权项：1.一种扇出封装结构，其特征在于，包括：芯片110、内衬基板120、贴片层130、包封层140、绝缘支撑层150、互连线160、封装引脚170、第一导电层180以及第二导电层190；其中，所述内衬基板120的一侧形成有贴片区域121，所述贴片层130以及所述芯片110均容置于所述贴片区域121，所述内衬基板120开设有贯穿孔122，所述贯穿孔122容置有所述绝缘支撑层150，所述绝缘支撑层150覆盖于所述内衬基板120表面，并露出所述贴片区域121，所述绝缘支撑层150高于所述贴片区域121，所述绝缘支撑层150贯穿设置有第一导电孔151，所述第一导电孔151内填充有所述第一导电层180；所述芯片110相对设置有功能面111和非功能面112，所述功能面111设置有芯片引脚焊盘113，所述贴片层130同时与所述非功能面112以及所述内衬基板120的一侧接触；所述包封层140用于包封所述芯片110、所述绝缘支撑层150以及所述内衬基板120，所述包封层140开设有第二导电孔141，并露出所述芯片引脚焊盘113以及所述第一导电层180，所述第二导电孔141内填充有所述第二导电层190，所述第二导电层190与所述芯片引脚焊盘113以及所述第一导电层180电连接；所述互连线160设置于所述包封层140的表面，所述互连线160同时与所述第二导电层190以及所述封装引脚170电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东省科学院半导体研究所 一种扇出封装结构及扇出封装方法

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