申请/专利权人：中国原子能科学研究院

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737854A

主分类号：C30B29/12

分类号：C30B29/12;C30B15/20;C30B15/14;C30B15/30;C30B15/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请实施例提供一种掺铊碘化钠晶体的制备方法，包括控制第一加热单元、第二加热单元和第三加热单元温度以温度梯度的形式对晶体原料加热至原料全部为熔融状态。第二温度高于第一温度和第三温度，且第二温度与第三温度之间的温差小于第二温度与第一温度之间温差；控制第一加热单元降温，使晶体以第一生长速率生长至直径20mm；控制第一加热单元和第二加热单元同步降温至晶体直径生长在280mm至300mm，旋转提升籽晶杆和坩埚至晶体直径生长在500mm至600mm；晶体生长速度不低于第二生长速率时，旋转提升籽晶杆和坩埚至晶体生长至目标长度；控制加热单元分阶段降温至室温。提高制备过程中温度均匀性和稳定性，降低大尺寸晶体的内部热应力，有效提高结晶质量和成品率。

主权项：1.一种掺铊碘化钠晶体的制备方法，所述制备方法应用于晶体生长装置，所述晶体生长装置包括具有容纳腔的主体以及第一加热单元、第二加热单元以及第三加热单元，所述第一加热单元和所述第二加热单元均环设在所述容纳腔的侧壁上，且所述第一加热单元设置于所述第二加热单元的上方，所述第三加热单元设置在所述容纳腔的底壁上，其特征在于，包括：升温步骤：控制所述第一加热单元、所述第二加热单元以及所述第三加热单元的温度分别为第一温度、第二温度和第三温度，直至所述晶体生长装置中的原料全部为熔融状态，其中，所述第二温度高于所述第一温度和所述第三温度，且所述第二温度与所述第三温度之间的温差小于所述第二温度与所述第一温度之间的温差；引晶步骤：控制所述晶体生长装置的籽晶杆与所述原料熔融状态的表面接触，当所述籽晶杆上开始生长晶体后，控制所述第一加热单元以第一温降速率降温，当所述晶体的生长达到第一生长速率时，以第一直线速度提拉和以第一旋转速度旋转所述籽晶杆，直至所述晶体的直径达到20mm；放肩步骤：控制所述第一加热单元和所述第二加热单元同时以所述第一温降速率降温，直至所述晶体的直径范围在280mm至300mm之间，以第二直线速度提拉和以第二旋转速度旋转所述籽晶杆，同时控制所述晶体生长装置的坩埚以第三直线速度升高和以第三旋转速度旋转，直至所述晶体直径生长到500mm至600mm；等径生长步骤：控制所述第一加热单元、所述第二加热单元以及所述第三加热单元的温度分别为第四温度、第五温度和第六温度，同时以第二直线速度提拉和以第四旋转速度旋转所述籽晶杆，当所述晶体的生长速度不低于第二生长速率时，以第四直线速度提拉所述籽晶杆，同时控制所述坩埚以第五直线速度升高和以第五旋转速度旋转，直到所述晶体生长至目标长度；收尾步骤：控制所述晶体脱离所述原料液面，控制所述第一加热单元、所述第二加热单元以及所述第三加热单元分阶段降温至室温。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国原子能科学研究院 一种掺铊碘化钠晶体的制备方法

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