申请/专利权人：扬州大学

申请日：2022-03-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114676571B

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20;G06F119/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.07.15#实质审查的生效;2022.06.28#公开

摘要：本发明公开了一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，基于TCAD的仿真平台，针对功率器件建立电学模型和单粒子模型，在不同的重离子辐照条件、不同的入射位置以及不同偏置条件下，对功率器件发生的单粒子硬错误进行鉴别；并对SEB和SEGR两种破坏性的瞬态过程通过程序跟踪某些重要电参量随时间的演变过程，更有针对性对功率器件单粒子硬错误的机理进一步研究。本发明提供了一种功率器件发生SEB及SEGR两种单粒子硬错误的鉴别方法，能够鉴别出在固定条件下功率器件发生哪种单粒子硬错误，是一种快速、耗时少、经济的鉴别方法，能够为功率器件在航天型号工程中的防护设计提供技术支持。

主权项：1.一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，其特征在于，包括：步骤1：根据功率器件的设计和工艺参数，通过半导体器件二维建模工具对所述功率器件进行二维建模，得到所述功率器件的二维模型，之后进行网格划分，生成网格化的器件结构，网格结构与器件的结构匹配；步骤2：对网格化的器件结构进行TCAD器件仿真，得出功率器件的转移特性曲线、输出特性曲线和击穿电压，再对比器件产品手册中的相应电学参数或曲线，优化校准器件的衬底、漂移区、体区以及源区的尺寸、掺杂浓度工艺参数，最终使TCAD器件仿真结果和器件产品手册相符；步骤3：根据步骤2优化后所得到的器件电学仿真模型，进行单粒子硬错误仿真；步骤4：固定LET值，将重离子入射在功率器件不同位置，根据发生SEB和SEGR的不同判据重复执行步骤3，对所述功率器件进行多次单粒子硬错误仿真，分别寻找发生SEB和SEGR两种情况下对应的敏感区域，然后将重离子入射位置固定在敏感区域，仿真获得SEB和SEGR的阈值电压Vds1、Vds2和发生时间t1、t2；步骤5：比较发生SEB和SEGR的时间先后和阈值电压大小，在相应入射位置和LET值下，根据功率器件的单粒子硬错误鉴别方法，鉴别功率器件发生SEB或SEGR。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州大学 一种功率器件的单粒子硬错误鉴别方法

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