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【发明授权】一种磁槽结构_先之科半导体科技(东莞)有限公司_202310636736.7 

申请/专利权人:先之科半导体科技(东莞)有限公司

申请日:2023-05-31

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN116525513B

主分类号:H01L21/677

分类号:H01L21/677

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开

摘要:本发明提供一种磁槽结构,包括底板和磁铁块,底板上设置有保护罩结构;保护罩结构包括左限位收纳部、右限位收纳部、中空连接部,左限位收纳部的一侧上部对应插入中空连接部内,右限位收纳部的一侧上部对应插入中空连接部内;左限位收纳部、右限位收纳部之间形成磁槽输送通道;左限位收纳部和右限位收纳部与底板活动连接;左限位收纳部和右限位收纳部远离中空连接部的一侧下部均形成有磁铁块收纳腔,磁铁块收纳腔内沿其长度方向通过多片隔板间隔形成多条磁铁块放置通道;两侧磁铁块收纳腔内均设置有至少一片对应插设在磁铁块放置通道内的磁铁块。简化整体结构,磁槽输送通道以及保护罩的大小可因应待加工二极管的型号尺寸进行适应性的大小调整。

主权项:1.一种磁槽结构,包括底板10和磁铁块15,其特征在于:所述底板10上设置有保护罩结构;所述保护罩结构包括左限位收纳部14、右限位收纳部19、中空连接部17,所述中空连接部17沿其长度方向的相对两侧面均开设有开口,所述左限位收纳部14的一侧上部对应插入所述中空连接部17内,所述右限位收纳部19的一侧上部对应插入所述中空连接部17内;所述左限位收纳部14、右限位收纳部19之间形成磁槽输送通道13;所述左限位收纳部14和所述右限位收纳部19与所述底板10活动连接;所述左限位收纳部14和所述右限位收纳部19远离所述中空连接部17的一侧下部均形成有磁铁块收纳腔11,所述磁铁块收纳腔11内沿其长度方向通过多片隔板12间隔形成多条磁铁块放置通道18;两侧所述磁铁块收纳腔11内均设置有至少一片对应插设在所述磁铁块放置通道18内的所述磁铁块15;所述底板10的上表面相对两侧均形成有若干线性排列均布并且与所述左限位收纳部14以及右限位收纳部19对应的定位槽,所述左限位收纳部14和所述右限位收纳部19的底部均形成有一与所述定位槽对应的定位插销;两侧所述定位槽的数量设置为N,N≥3。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种磁槽结构

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