申请/专利权人：聚酰亚胺先端材料有限公司

申请日：2019-12-02

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114616271B

主分类号：C08J5/18

分类号：C08J5/18;C08G73/10;B32B27/28;B32B15/08

优先权：["20191107 KR 10-2019-0141518"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.06.28#实质审查的生效;2022.06.10#公开

摘要：本发明提供一种具有改良介电性质的聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：第一嵌段，所述第一嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐BTDA及联苯四甲酸二酐BPDA的二酐成分与包含对苯二胺PPD的二胺成分发生酰亚胺化而获得的；以及第二嵌段，所述第二嵌段是使包含联苯四甲酸二酐BPDA及均苯四甲酸二酐PMDA的二酐成分与包含间联甲苯胺m‑tolidine的二胺成分发生酰亚胺化而获得的。

主权项：1.一种聚酰亚胺薄膜，所述聚酰亚胺薄膜包含嵌段共聚物，所述嵌段共聚物包含：第一嵌段，所述第一嵌段是使包含二苯酮四甲酸二酐及联苯四甲酸二酐的二酐成分与包含对苯二胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的；以及第二嵌段，所述第二嵌段是使包含联苯四甲酸二酐及均苯四甲酸二酐的二酐成分与包含间联甲苯胺的二胺成分发生酰亚胺化而获得的，其中，以所述第一嵌段及所述第二嵌段的二酐成分的总含量100摩尔％为基准，所述二苯酮四甲酸二酐的含量为10摩尔％以上且20摩尔％以下，所述联苯四甲酸二酐的含量为40摩尔％以上且60摩尔％以下，所述均苯四甲酸二酐的含量为20摩尔％以上且45摩尔％以下，其中，以所述第一嵌段及所述第二嵌段的二胺成分的总含量100摩尔％为基准，所述间联甲苯胺的含量为20摩尔％以上且35摩尔％以下，所述对苯二胺的含量为65摩尔％以上且80摩尔％以下，其中，所述聚酰亚胺薄膜的介电损耗因子为0.004以下，热膨胀系数为16ppm℃以下，玻璃化转变温度为300℃以上。

全文数据：

权利要求：

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