申请/专利权人：西南技术物理研究所

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117884327A

主分类号：B05D3/02

分类号：B05D3/02;B05D3/04;H01L21/56

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置，包括：高温炉体1、程序温控系统2、高纯石英腔体3、气流稳压系统4和排风系统5，高纯石英腔体3布置在高温炉体1上，待成膜固化半导体芯片布置在高纯石英腔体3中，程序温控系统2控制高温炉体1的温度，气流稳压系统4和排风系统5均连通，通过气流稳压系统4向高纯石英腔体3中通入保护气体，通过排风系统5将流通后的保护气体排出。本发明解决了现有烘箱方式成膜时水分子无法及时排出的问题，避免了聚酰胺酸内的酰胺基发生降解反应，同时石英材质的工艺腔体，能对金属离子进行较好的处理和控制。

主权项：1.一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置，其特征在于，包括：高温炉体1、程序温控系统2、高纯石英腔体3、气流稳压系统4和排风系统5，高纯石英腔体3布置在高温炉体1上，待成膜固化半导体芯片布置在高纯石英腔体3中，程序温控系统2控制高温炉体1的温度，气流稳压系统4和排风系统5均连通，通过气流稳压系统4向高纯石英腔体3中通入保护气体，通过排风系统5将流通后的保护气体排出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西南技术物理研究所 一种半导体芯片聚酰亚胺成膜固化装置

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