申请/专利权人：中子科学研究院(重庆)有限公司

申请日：2022-12-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116437555B

主分类号：H05H3/06

分类号：H05H3/06;H05K7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.08.01#实质审查的生效;2023.07.14#公开

摘要：本申请涉及中子发生器技术领域，具体提供一种多束流沉积的中子靶及中子发生器，旨在解决现有中子发生器受散热因素制约导致难以提高中子源强度的问题。为此目的，本申请的多束流沉积的中子靶包括沿离子束发射方向依次连接的多层靶片，所述多层靶片的直径沿着从所述中子靶的中心径向向外的方向逐渐增大。每层所述靶片内均设置有独立的冷却腔，所述中子靶上开设有分别与至少一个所述靶片的冷却腔连通的进流通道和出流通道。本申请通过设置多层依次连接的靶片，在实现多束离子束流同时轰击中子靶的前提下，针对每层靶片进行单独冷却，进而在保证靶系统正常运行的条件下，提高了中子源强度。

主权项：1.一种多束流沉积的中子靶，其特征在于，所述中子靶包括沿离子束发射方向依次连接的多层靶片，多层所述靶片的直径沿着从所述中子靶的中心径向向外的方向逐渐增大，每层所述靶片内均设置有独立的冷却腔，所述中子靶上开设有与每个所述靶片的冷却腔连通的进流通道和出流通道，所述中子靶为旋转靶，所述进流通道和所述出流通道均沿所述中子靶的周向设置有多个，所述进流通道的数量与所述出流通道相同；每个所述冷却腔内均沿所述中子靶的径向设置有多条流道，每条所述流道都具有靠近所述中子靶轴心的第一端以及与所述第一端相对的第二端，所述进流通道和所述出流通道均位于所述第一端；所述冷却腔的内壁设置有多个弧面，所述弧面的数量与所述进流通道的数量相同，所述弧面靠近所述流道的第二端，每个所述弧面均位于相邻的所述进流通道和所述出流通道之间，且均朝向所述进流通道和所述出流通道，以使冷却剂沿所述流道流动至第二端后能够贴着所述弧面流动完成转向，每个弧面对应一个单位区域，每个进流通道通入的冷却剂进入相邻的两个单位区域内，冷却剂在每个单位区域内完成一个循环后，进入出流通道并排出；所述进流通道和所述出流通道沿所述中子靶的周向交错设置；其中，所述靶片的层数与离子束的数量相同，且多束离子束与多层靶片一一对应。

全文数据：

权利要求：

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