申请/专利权人：陕西科技大学

申请日：2022-02-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114539525B

主分类号：C08G73/10

分类号：C08G73/10;C08K9/06;C08K3/38;C08J5/18;C08L79/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开

摘要：本发明公开了一种中子屏蔽薄膜以及制备方法和应用，制备过程如下：将导热填料与中子屏蔽填料分别加入乙醇中，超声处理，得到羟基化后的导热填料与中子屏蔽填料，进一步制的表面硅烷化的导热填料以及中子屏蔽填料；将表面硅烷化的导热填料以及中子屏蔽填料分散至强极性非质子溶剂中，并依次加入二胺单体以及二酐单体，搅拌进行原位聚合，得到导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚合物前驱体液；将得到的前驱体液制成薄膜，在干燥后，经高温处理，得到导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚酰亚胺薄膜。本发明在聚酰亚胺薄膜的合成过程中加入有机硅烷化试剂改性后的导热填料与中子屏蔽填料，制备了具有良好导热性能的超薄聚酰亚胺中子屏蔽薄膜。

主权项：1.一种中子屏蔽薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将导热填料与中子屏蔽填料分别加入乙醇中，超声处理，得到羟基化后的导热填料与中子屏蔽填料，将有机硅烷试剂加入羟基化后的导热填料以及中子屏蔽填料中，得到表面硅烷化的导热填料以及中子屏蔽填料；S2：将步骤S1得到的表面硅烷化的导热填料以及中子屏蔽填料分散至强极性非质子溶剂中，并依次加入二胺单体以及二酐单体，搅拌进行原位聚合，得到导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚合物前驱体液；S3：将步骤S2得到的导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚合物前驱体液制成薄膜，在干燥后，经高温处理，得到导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚酰亚胺薄膜；所述导热填料为氮化硼；所述中子屏蔽填料为碳化硼；所述导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚合物前驱体液中，所述导热填料的颗粒尺寸为5μm~10μm，所述导热填料的添加量为所述聚合物前驱体质量的10%~30%；所述中子屏蔽填料的颗粒尺寸为220nm~350nm，所述中子屏蔽填料的添加量为所述聚合物前驱体质量的8%~15%；所述步骤S3中，将步骤S2得到的导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚合物前驱体液制成薄膜时，将第一体积的导热填料以及中子屏蔽填料改性的聚合物前驱体液制成第一薄膜，干燥后，重复制膜过程若干次，直至干燥后薄膜的平均厚度为15μm~200μm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陕西科技大学 一种中子屏蔽薄膜及其制备方法和应用

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