申请/专利权人：成都汉度科技有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117526543B

主分类号：H02J9/06

分类号：H02J9/06;H02J7/35;H02J7/00;H02H7/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明公开了一种采用太阳能电池板和电池双电源供电的供电系统，包括太阳能电池板、电池、电源切换电路及过放保护电路，太阳能电池板和电池均与电源切换电路连接，电源切换电路输出端与过放保护电路输入端连接，过放保护电路输出端用于连接用电负载。过放保护电路设有线路导通电压阈值和线路关断电压阈值，当其输入电压大于或等于线路导通电压阈值时控制电源切换电路与用电负载之间线路导通，当其输入电压小于或等于线路关断电压阈值时控制电源切换电路与用电负载之间线路关断；线路导通电压阈值大于线路关断电压阈值。本发明应用时能在太阳能电池板和电池电能不足时切断供电线路，进而保护电池和用电负载。

主权项：1.一种采用太阳能电池板和电池双电源供电的供电系统，其特征在于，包括太阳能电池板、电池、电源切换电路及过放保护电路，所述太阳能电池板和电池均与电源切换电路连接且由电源切换电路实现太阳能电池板供电或电池供电的供电电源切换，所述电源切换电路输出端与过放保护电路输入端连接，所述过放保护电路输出端用于连接用电负载；所述过放保护电路设有线路导通电压阈值和线路关断电压阈值，当其输入电压大于或等于线路导通电压阈值时控制电源切换电路与用电负载之间线路导通，当其输入电压小于或等于线路关断电压阈值时控制电源切换电路与用电负载之间线路关断；其中，线路导通电压阈值大于线路关断电压阈值；所述过放保护电路包括第一放电电阻DR1、第二放电电阻DR2、第三放电电阻DR3、第四放电电阻DR4、第五放电电阻DR5、第六放电电阻DR6、放电稳压支路、第一放电NPN三极管DQ1、第二放电NPN三极管DQ2、第三放电NPN三极管DQ3、第一PMOS管Q1及第二二极管D2，所述第一PMOS管Q1源极、第一放电电阻DR1一端、第二放电电阻DR2一端及放电稳压支路一端均与电源切换电路输出端连接；所述第三放电电阻DR3一端连接于第二放电电阻DR2与电源切换电路输出端之间的线路上，其另一端与第一放电NPN三极管DQ1集电极连接；所述第二放电NPN三极管DQ2集电极和第二放电电阻DR2相对连接电源切换电路输出端的另一端均与第一放电NPN三极管DQ1基极连接；所述第一放电电阻DR1相对连接电源切换电路输出端的另一端和第三放电NPN三极管DQ3集电极均与第二放电NPN三极管DQ2基极连接；所述第四放电电阻DR4一端连接于第二放电电阻DR2与第一放电NPN三极管DQ1基极之间的线路上，其另一端与第三放电NPN三极管DQ3基极连接；所述第五放电电阻DR5一端与第三放电NPN三极管DQ3基极连接，其另一端与放电稳压支路相对连接电源切换电路输出端的另一端连接；所述第六放电电阻DR6一端连接于第五放电电阻DR5与放电稳压支路之间的线路上，其另一端接地；所述第一放电NPN三极管DQ1发射极、第二放电NPN三极管DQ2发射极及第三放电NPN三极管DQ3发射极均接地；所述第一PMOS管Q1栅极与第一放电NPN三极管DQ1集电极连接，第一PMOS管Q1漏极与第二二极管D2正极连接，第二二极管D2负极用于连接用电负载；所述过放保护电路输入电压后，在其输入电压小于线路导通电压阈值时，第三放电NPN三极管DQ3基极电压在放电稳压支路稳压、以及第四放电电阻DR4和第五放电电阻DR5分压作用下低于其导通电压，第三放电NPN三极管DQ3截止；经第一放电电阻DR1输入第二放电NPN三极管DQ2基极的电压达到第二放电NPN三极管DQ2导通电压后第二放电NPN三极管DQ2导通，第二放电NPN三极管DQ2导通后其集电极被拉至低电平，使得与第二放电NPN三极管DQ2集电极连接的第一放电NPN三极管DQ1基极为低电平，第一放电NPN三极管DQ1截止且其集电极为高电平，与第一放电NPN三极管DQ1集电极连接的第一PMOS管Q1因其栅极输入高电平而截止，第一PMOS管Q1控制电源切换电路与用电负载之间线路关断；所述过放保护电路输入电压达到线路导通电压阈值时，输入第三放电NPN三极管DQ3基极的电压在放电稳压支路稳压、以及第四放电电阻DR4和第五放电电阻DR5分压作用下达到其导通电压，第三放电NPN三极管DQ3由关断切换为导通，第三放电NPN三极管DQ3导通后其集电极被拉至低电平，与第三放电NPN三极管DQ3集电极连接的第二放电NPN三极管DQ2基极由高电平转至低电平，第二放电NPN三极管DQ2由导通切换为关断，第二放电NPN三极管DQ2集电极由低电平转至高电平，使得与第二放电NPN三极管DQ2集电极连接的第一放电NPN三极管DQ1基极为高电平，第一放电NPN三极管DQ1导通且其集电极为低电平，与第一放电NPN三极管DQ1集电极连接的第一PMOS管Q1因其栅极输入低电平而导通，第一PMOS管Q1控制电源切换电路与用电负载之间线路导通；所述过放保护电路输入电压下降至小于线路导通电压阈值且大于或等于线路关断电压阈值时，因第一放电NPN三极管DQ1导通时其基极为高电平信号，第四放电电阻DR4与第一放电NPN三极管DQ1基极连接的一端为高电平，其抬高第三放电NPN三极管DQ3基极电压，第一放电NPN三极管DQ1和第三放电NPN三极管DQ3保持导通，电源切换电路与用电负载之间线路保持导通；所述过放保护电路输入电压下降至小于线路关断电压阈值时，第三放电NPN三极管DQ3基极电压小于其导通电压，第三放电NPN三极管DQ3关断，第二放电NPN三极管DQ2导通，第一放电NPN三极管DQ1关断，第一PMOS管Q1关断使电源切换电路与用电负载之间线路关断。

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