申请/专利权人：重庆大学

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115566435B

主分类号：H01Q15/00

分类号：H01Q15/00;H01Q15/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.01.20#实质审查的生效;2023.01.03#公开

摘要：本申请提供一种基于PIN二极管的透射‑反射可重构极化转换超表面，包括从下至下设置的第一介质基板、第二介质基板；第一介质基板上表面以及第二介质基板的下表面分别设置有相互垂直的若干第一金属栅条和若干第二金属栅条；第二介质基板的上表面设置有按矩形阵列布阵的若干分裂圆环单元，分裂圆环单元均包括第一、二弧形金属贴片，以及用于连接第一、二弧形金属贴片PIN二极管，以及用于对第一、二弧形金属贴片进行馈电的两条馈线，两条馈线均通过金属柱分别与不同位置的第二金属栅条连接。本申请的超表面实现了电磁波极化转化透射幅度的动态调控，即实现了电磁波空间传播模式的切换。同时还具有较宽的工作带宽、良好的斜入射表现、制造成本低、易于控制等优势。

主权项：1.一种基于PIN二极管的透射-反射可重构极化转换超表面，其特征在于，包括从下至下设置的第一介质基板1、第二介质基板2；所述第一介质基板1上表面等间距的设置有若干第一金属栅条3，所述第二介质基板2的下表面等间距的设置有若干第二金属栅条4，若干第一金属栅条3与若干第二金属栅条4相互垂直；所述第二介质基板2的上表面设置有若干分裂圆环单元，若干分裂圆环单元按矩形阵列布阵；所述分裂圆环单元均包括第一弧形金属贴片5、第二弧形金属贴片6，以及用于连接第一弧形金属贴片5与第二弧形金属贴片6的PIN二极管7，以及用于对第一弧形金属贴片5、第二弧形金属贴片6进行馈电的两条馈线8，两条馈线8均通过金属柱9分别与不同位置的第二金属栅条4连接；两条馈线8分别与一个金属柱9的一端连接，两个金属柱9的另一端分别与不同位置的第二金属栅条4连接，两个第二金属栅条4分别与偏置电源12的正负极连接；通过控制偏置电源12实现PIN二极管7的截止与导通状态的切换。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆大学 一种基于PIN二极管的透射-反射可重构极化转换超表面

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