申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2021-01-11

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114172123B

主分类号：H02H7/20

分类号：H02H7/20;H02H9/02;H02H9/04;H02M7/537

优先权：["20200911 JP 2020-153000"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.03.29#实质审查的生效;2022.03.11#公开

摘要：一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。

主权项：1.一种半导体装置，具备：半导体封装，该半导体封装具有：n型沟道常断晶体管，具有第一电极、第二电极和第一控制电极；常通晶体管，具有电连接于所述第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极；第一二极管，具有电连接于所述第二控制电极的第一阳极和电连接于所述第三电极的第一阴极；以及齐纳二极管，具有电连接于所述第一电极的第二阳极和电连接于所述第二电极的第二阴极；第一端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一电极；多个第二端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一电极，分别排列于第一方向上；第三端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第四电极；多个第四端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第一控制电极，分别排列于第一方向上；以及多个第五端子，设于所述半导体封装，电连接于所述第二控制电极，分别排列于第一方向上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置

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