申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2021-07-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113595260B

主分类号：H02J50/12

分类号：H02J50/12;H02J50/40;H02J50/80;B60L53/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：本发明提出一种基于串联补偿的集成导轨分布切换供电拓扑，供电拓扑包括发射电源和n段发射导轨供电段；n段发射导轨供电段的每段均包括n个串联发射导轨单元和一组反向串联的开关管Spn+和Spn‑；发射导轨单元由发射线圈Lpnm和集成在内部的补偿电容Cpnm串联构成；一组反向串联的开关管Spn+和Spn‑并联在对应的发射导轨供电段上；复用发射导轨供电段为相邻供电段补偿，无需为每个供电段配置补偿电感；复用谐振电容为两个供电段补偿，减少了电容的数量。系统的高度复用，减少了谐振器件数量，降低了系统的体积和成本，减小了损耗，提高了系统效率。

主权项：1.一种基于串联补偿的集成导轨分布切换供电拓扑电路，其特征在于：所述供电拓扑电路包括发射电源和n段发射导轨供电段；所述发射电源包括恒流母线UDC和4个开关管S1、S2、S3、S4；开关管S1和S3的一端与UDC的正极相连接；开关管S2和S4的一端与UDC的负极相连接；开关管S1和S2的另一端与第一段发射导轨供电段相连接，开关管S3和S4的另一端与第n段发射导轨供电段相连接，n段发射导轨供电段串联；所述n段发射导轨供电段的每段均包括1个串联发射导轨单元和一组反向串联的开关管Spn+和Spn-；每段发射导轨供电段的等效电感为Lpn，等效补偿电容为Cpn；所述发射导轨单元由发射线圈Lpnm和集成在内部的补偿电容Cpnm串联构成，n,m∈R；所述一组反向串联的开关管Spn+和Spn-并联在对应的发射导轨供电段上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 一种基于串联补偿的集成导轨分布切换供电拓扑电路

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