申请/专利权人：西安建筑科技大学

申请日：2023-03-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116332644B

主分类号：C04B35/495

分类号：C04B35/495;C04B35/622;C04B41/88;C04B35/626;H01G4/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.07.14#实质审查的生效;2023.06.27#公开

摘要：本发明提供一种K0.5Na0.5Nb0.7Ta0.3O3基无铅压电陶瓷材料、制备方法及应用，所述无铅压电陶瓷材料以K0.5Na0.5Nb0.7Ta0.3O3为基料，以稀土氧化物为掺杂剂，依次经水热合成、预烧、压片、烧结和烧银制得；其中，按摩尔百分比计，基料占无铅压电陶瓷材料总质量的98.8～99.9％，掺杂剂占无铅压电陶瓷材料总质量的0.1～1.2％，掺杂剂包括Tm2O3、Sc2O3、Er2O3、Lu2O3、Yb2O3中的任意一种或多种。本发明提供的K0.5Na0.5Nb0.7Ta0.3O3基无铅压电陶瓷材料具备常温介电常数高、居里温度低的特点，适用于制备电容器，制备方法可通过控制水热反应条件控制陶瓷粉料的粒径和形貌，无需进行煅烧和研磨，可有效防止粉末团聚，弥补了高温制备过程中难以克服的晶型转变、分解、挥发等缺点，解决了现有技术中心陶瓷电容器温度稳定性较差的问题。

主权项：1.一种K0.5Na0.5Nb0.7Ta0.3O3基无铅压电陶瓷材料，其特征在于，所述无铅压电陶瓷材料以K0.5Na0.5Nb0.7Ta0.3O3为基料，以稀土氧化物为掺杂剂，依次经水热合成、预烧、压片、烧结和烧银制得；其中，按摩尔百分比计，所述基料占无铅压电陶瓷材料总摩尔量的98.8~99.9%，所述掺杂剂占无铅压电陶瓷材料总摩尔量的0.1~1.2%;所述掺杂剂为Tm2O3、Sc2O3、Er2O3、Lu2O3、Yb2O3中的任意一种或多种；所述无铅压电陶瓷材料的介电常数ε100KHz为：1129-1900；所述无铅压电陶瓷材料的居里温度为：150℃-190℃；所述的烧结处理的温度为1180℃~1200℃，保温时间为1~3h。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安建筑科技大学 一种K_0.5Na_0.5Nb_0.7Ta_0.3O₃基无铅压电陶瓷材料、制备方法及应用

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