申请/专利权人：成都光明光电有限责任公司

申请日：2023-02-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116161966B

主分类号：C04B35/581

分类号：C04B35/581;C04B35/626

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.06.13#实质审查的生效;2023.05.26#公开

摘要：本发明公开了单相AlON粉体的制备方法，包括以下步骤：将Al2O3粉、碳粉、AlN粉、无水乙醇按一定比例球磨均匀混合，Al2O3粉、碳粉、AlN粉与无水乙醇的质量比为92～96:3～7:0.5～4:100～200；对混合均匀的物料进行干燥，干燥后过筛；将过筛后的物料置于氮化硼坩埚中，在流动氮气气氛条件下反应得到AlON粉体。本发明对现有技术中制备AlON粉体的碳热还原氮化法进行改进，不需要后续再进行除碳步骤，只需要一步反应就能直接生产单相AlON粉体，大幅度提升了单相AlON粉体的制备效率，同时在原料粉体中也不会引入新的杂质，确保了所制得单相AlON粉体的纯度；本发明操作工艺的可控性强、单相AlON粉体性能稳定，有利于实现单相AlON粉体的量产。

主权项：1.单相AlON粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、将Al2O3粉、碳粉、AlN粉、无水乙醇按一定比例球磨均匀混合，所述Al2O3粉、碳粉、AlN粉与无水乙醇的质量比为92～96:3～7:0.5～4:100～200，进行球磨的转速为200～300rpm，球磨时间为1～24h，球磨介质为氧化锆或氧化铝；步骤二、对混合均匀的物料进行干燥，干燥后采用目数为50目或100目的筛网过筛；步骤三、将过筛后的物料置于氮化硼坩埚中，在流动氮气气氛条件下反应得到AlON粉体，反应以1～15℃min的速率升温至1400～1800℃，保温1～6h，氮气流量为1～15Lmin。

全文数据：

权利要求：

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