申请/专利权人：大连海事大学

申请日：2023-06-14

公开（公告）日：2023-09-22

公开（公告）号：CN116789455A

主分类号：C04B35/581

分类号：C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.10.13#实质审查的生效;2023.09.22#公开

摘要：本发明涉及一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法，属于透明陶瓷材料制备领域。一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法，其特征在于：在AlON粉体中仅添加掺量为0.15‑0.40wt.％的La2O3作为烧结助剂，通过球磨调控粉体粒度，获得AlONLa2O3混合粉体；氮气氛围下，采用无压烧结制得高致密度的具有高红外透过率的AlON陶瓷，其中，球磨后AlONLa2O3混合粉体的D50为0.8‑2.2μm，且粒度分布范围为0.3‑7μm，0.5μm的颗粒含量5vol.％，4μm的颗粒含量10vol.％。该方法AlON粉体粒度适中，减少了球磨细化引入过多杂质的风险，仅使用La2O3作为烧结助剂，配料过程可控性更强，无压烧结方法易实现，设备成本低，烧结温度低、保温时间短，节能效果好、效率高、制备成本低，易实现产业化。

主权项：1.一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法，其特征在于：在AlON粉体中仅添加掺量为0.15-0.40wt.％的La2O3作为烧结助剂，通过球磨调控粉体粒度，获得AlONLa2O3混合粉体；氮气氛围下，采用无压烧结制得高致密度的具有高红外透过率的AlON陶瓷，其中，球磨后AlONLa2O3混合粉体的D50为0.8-2.2μm，且粒度分布范围为0.3-7μm，0.5μm的颗粒含量5vol.％，4μm的颗粒含量10vol.％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大连海事大学 一种低温快速无压烧结制备AlON透明陶瓷的方法

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