申请/专利权人：福建晶安光电有限公司

申请日：2019-08-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112714805B

主分类号：C30B29/30

分类号：C30B29/30;C30B33/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：一种钽酸锂晶片及其黑化方法，通过在低于居里温度的还原性环境里进行黑化反应，压电晶片表面具有小于13wt%的氧浓度，该氧浓度下的压电晶片具有较低的电阻率，在波长350~450nm的光照射下透射率为0％，有效降低电阻率、提高后段图案的分辨率，使其制作的滤波器器件良率大幅提升，进而降低制造成本。

主权项：1.一种钽酸锂晶片的黑化方法，至少在钽酸锂晶片与钽酸锂晶片之间设置一层还原介质，在非氧化气氛下，加热并在居里温度下对钽酸锂晶片进行还原处理，还原介质为混合粉末，还原介质包括：还原粉体，经加热会分离成还原气体的催化剂，催化剂包括不饱和聚酯树脂类有机物或者丙烯酸酯类有机物，还原粉体包括一种或者多种碳酸盐，还原介质还包括脱膜剂，脱膜剂包括非金属氧化物粉体，还原粉体粒径与脱膜剂粒径差值不超过还原粉体粒径的10%，脱膜剂可促进还原介质与钽酸锂晶片分离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建晶安光电有限公司 一种钽酸锂晶片及其黑化方法

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