申请/专利权人：TDK株式会社

申请日：2019-05-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111480240B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10B61/00;H10N50/80

优先权：["20180531 JP 2018-105394"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.08.25#实质审查的生效;2020.07.31#公开

摘要：本发明的自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层；以及层叠有所述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线，所述自旋轨道转矩配线沿相对于作为所述第一铁磁性层的法线方向的第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一铁磁性层从所述自旋轨道转矩配线侧起，依次具有第一层叠结构体和界面磁性层，所述第一层叠结构体是从所述自旋轨道转矩配线侧起，依次配置有铁磁性导电体层和含无机化合物层的结构体，所述铁磁性导电体层包含铁磁性金属元素，所述含无机化合物层包含选自碳化物、氮化物、硫化物中的至少一种无机化合物。

主权项：1.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件，其特征在于，具备：第一铁磁性层；第二铁磁性层；位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层；以及层叠有所述第一铁磁性层的自旋轨道转矩配线，所述自旋轨道转矩配线沿相对于作为所述第一铁磁性层的法线方向的第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一铁磁性层从所述自旋轨道转矩配线侧起，依次具有第一层叠结构体和界面磁性层，所述第一层叠结构体是从所述自旋轨道转矩配线侧起，依次配置有铁磁性导电体层和含无机化合物层的结构体，所述自旋轨道转矩配线直接连接于所述铁磁性导电体层，所述铁磁性导电体层包含铁磁性金属元素，所述含无机化合物层包含选自碳化物、氮化物、硫化物中的至少一种无机化合物，一个以上的从所述自旋轨道转矩配线侧起依次层叠有铁磁性导电体层和含无机化合物层的第二层叠结构体插入于所述第一层叠结构体与所述界面磁性层之间，所述第一层叠结构体的所述铁磁性导电体层的膜厚比所述第二层叠结构体的所述铁磁性导电体层的膜厚厚。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TDK株式会社 自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器

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