申请/专利权人：江门市江海区海科电子有限公司

申请日：2023-07-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220653202U

主分类号：H02M1/088

分类号：H02M1/088;H05B45/30;H02M1/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型公开一种高速低功耗半桥驱动电路，包括逻辑转换电路、跟随放大电路以及稳压电路，逻辑转换电路一端与控制输入端连接，逻辑转换电路另一端通过跟随放大电路与稳压电路连接，稳压电路另一端与负载连接。

主权项：1.一种高速低功耗半桥驱动电路，其特征在于，包括逻辑转换电路、跟随放大电路以及稳压电路，所述逻辑转换电路一端与控制输入端连接，所述逻辑转换电路另一端通过所述跟随放大电路与所述稳压电路连接，所述稳压电路另一端与负载连接；所述稳压电路包括稳压二极管Z1和Z2、电阻R10以及电容C2和C4，稳压二极管Z1和稳压二极管Z2之间通过电阻R10连接，所述电容C4与所述稳压二极管Z1并联接地，所述电容C2和所述稳压二极管Z1并联与电源连接；所述跟随放大电路包括第一跟随放大电路以及第二跟随放大电路，所述逻辑转换电路包括第一逻辑转换电路以及第二逻辑转换电路，所述第一跟随放大电路包括三极管Q14和Q15，所述第二跟随放大电路包括三极管Q19和Q20；三极管Q14和Q15的基极与所述第一逻辑转换电路连接，三极管Q14和Q15的发射极与MOS管Q1连接后与负载连接，三极管Q14和Q15的集电极分别与电容C2的两端连接，三极管Q19和Q20的基极与所述第二逻辑转换电路连接，三极管Q19和Q20的发射极与MOS管Q2连接后与负载连接，三极管Q19的集电极接地，三极管Q20的集电极与电容C4连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江门市江海区海科电子有限公司 一种高速低功耗半桥驱动电路

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD