申请/专利权人：上海鑫雁微电子股份有限公司

申请日：2023-08-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652018U

主分类号：H01L27/082

分类号：H01L27/082;H01L29/735

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，公开了一种高增益复合BJT结构，由横向pnp和横向npn组成，所述复合BJT结构包括：浅槽隔离层；N型注入：第一N型注入、第二N型注入和第三N型注入；多晶硅栅：第一多晶硅栅和第二多晶硅栅；P型注入；P型区；N型区：第一N型区和第二N型区；横向pnp由P型注入作横向npn的发射极，P型区作集电极，第一N型区和第三N型注入作基极；横向npn由第二N型注入作集电极，第一N型注入作横向npn的发射极，P型区作横向npn的基极。本实用新型通过复合pnp和npn器件，实现了更高的增益和更好的性能，克服了传统单一BJT结构的一些限制，提供了适用于高频和低功耗应用的解决方案，可用于改进和优化集成电路的设计和制备过程。

主权项：1.一种高增益复合BJT结构，其特征在于，由横向pnp和横向npn组成，所述复合BJT结构包括：浅槽隔离层1；N型注入：第一N型注入2、第二N型注入4和第三N型注入7；多晶硅栅：第一多晶硅栅3和第二多晶硅栅5；P型注入6；P型区8；N型区：第一N型区9和第二N型区10；横向pnp由P型注入6作横向npn的发射极，P型区8作集电极，第一N型区9和第三N型注入7作基极；横向npn由第二N型注入4作集电极，第一N型注入2作横向npn的发射极，P型区8作横向npn的基极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海鑫雁微电子股份有限公司 一种高增益复合BJT结构

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