申请/专利权人：中国石油大学(华东)

申请日：2023-11-17

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117769348A

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10N70/00;G06N3/063

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.26#公开

摘要：本发明公开一种VO2MoO3异质结人工光电突触器件及其制备方法，属于微电子器件及制备技术领域。该方法包括：选用ITO导电玻璃为基底；利用射频磁控溅射和电子束蒸发技术分别沉积在VO2和MoO3薄膜，形成VO2MoO3异质结；在MoO3薄膜表面沉积ITO顶电极层；在缺陷工程和界面工程的共同调控下，该器件实现了基本的电突触功能。该器件还具备优异的光响应行为，对355nm‑1550nm波长范围有明显的光响应，并且能实现光写入电擦除、对脉冲易化、短期长期突触可塑性、学习经历等光突触功能。本发明的光电突触器件具有具备稳定的突触性能和宽光谱响应等优点；其制备工艺简单、无毒无污染，产品质量较高，适于大规模化工业生产，在神经形态器件和光通讯系统领域具有巨大的应用前景。

主权项：1.一种VO2MoO3异质结人工光电突触器件及其制备方法，其特征为垂直结构，由下至上依次是ITO玻璃基底、VO2半导体薄膜层、MoO3半导体薄膜层和ITO顶电极层；其中：所述ITO玻璃基底为导电基底；所述VO2半导体薄膜层通过射频磁控溅射技术沉积于上述ITO玻璃基底表面上，厚度为100-300nm；所述MoO3半导体薄膜层通过电子束蒸发技术沉积于上述VO2半导体薄膜表面上，厚度为100-300nm；所述ITO顶电极层通过直流磁控溅射沉积于上述MoO3半导体薄膜层的表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国石油大学(华东) 一种VO₂/MoO₃异质结人工光电突触器件及其制备方法

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