申请/专利权人：天津大学

申请日：2023-12-11

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117753943A

主分类号：B22D17/32

分类号：B22D17/32;C25D3/48;C25D7/00;G01N27/00;B22D17/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开一种用于微纳器件电学接触的EGaIn探针的制备方法，通过电化学镀金处理改善了从注射器挤出的EGaIn液滴与不锈钢针头的结合力，在精密操作台的辅助下，EGaIn液滴在注射器针头与牺牲板的之间拉伸至临界半径处，针头顶端形成稳定的圆锥状尖端，用于器件测试的接触。本发明的技术方案提高EGaIn针尖的形貌稳定性，进而提高了微纳器件电学测试的准确性和可靠性。

主权项：1.一种用于微纳器件电学接触的EGaIn探针的制备方法，其特征在于，将EGaIn置于注射器中，通过控制注射器的挤压力度挤出EGaIn液滴，与牺牲板接触，EGaIn液滴润湿并粘附在牺牲板上；控制注射器的抬高速度，EGaIn液滴在注射器针头和牺牲板之间发生拉伸，形成沙漏状，至临界半径处，EGaIn液滴不再保持连续状态，在注射器针头上，形成EGaIn圆锥体，其表面为Ga2O3；注射器的针头进行镀金处理，以增强EGaIn液滴与针头的结合力。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 一种用于微纳器件电学接触的EGaIn探针的制备方法

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