申请/专利权人：星科金朋私人有限公司

申请日：2023-07-06

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790458A

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/31;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60

优先权：["20220928 US 17/936037"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：本公开涉及半导体装置和堆叠具有嵌入的电气部件的混合基底的方法。半导体装置具有第一RDL基底，其中第一导电支柱被形成在第一RDL基底的第一表面上。第一电气部件被安放在第一RDL基底的第一表面上。混合基底被接合到第一RDL基底。包封剂被沉积在混合基底和第一RDL基底周围，其中第一导电支柱和第一电气部件被嵌入在包封剂内。第二RDL基底能够被接合到混合基底，其中第二导电支柱被形成在第二RDL基底上并且第二电气部件被安放在第二RDL基底上。第二RDL能够被形成在第一RDL基底的第二表面上。第三电气部件被安放在第一RDL基底的第二表面上。屏蔽框架被安放在第三电气部件上。

主权项：1.一种半导体装置，包括：第一重分布层RDL基底；多个第一导电支柱，被形成在所述第一RDL基底的第一表面上；第一电气部件，被安放在所述第一RDL基底的所述第一表面上；混合基底，被接合到所述第一RDL基底；和包封剂，被沉积在所述混合基底和第一RDL基底周围，其中所述第一导电支柱和第一电气部件被嵌入在所述包封剂内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 星科金朋私人有限公司 半导体装置和堆叠具有嵌入的电气部件的混合基底的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD