申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2023-10-19

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917949A

主分类号：H10N52/80

分类号：H10N52/80;H10N52/01;H10N59/00

优先权：["20221020 DE 102022127718.6"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本公开的实施例涉及具有嵌入的填料颗粒的半导体器件和相关的制造方法。一种半导体器件包括芯片载体和布置在芯片载体上的半导体芯片。此外，半导体器件包含布置在芯片载体和半导体芯片之间的中间层以及至少部分地包封半导体芯片的包封材料。在中间层或包封材料中的至少一者中嵌入有填料颗粒，其中填料颗粒包括带隙在从2.3eV至3.6eV范围内的半导体材料。

主权项：1.一种半导体器件，包括：芯片载体2；布置在所述芯片载体2上的半导体芯片4；中间层16，布置在所述芯片载体2和所述半导体芯片4之间；至少部分包封所述半导体芯片4的包封材料12；和填料颗粒18，被嵌入所述中间层16或所述包封材料12中的至少一者中，其中所述填料颗粒18包括带隙在从2.3eV至3.6eV的范围内的半导体材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 具有嵌入填料颗粒的半导体器件和相关的制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD