申请/专利权人：江苏艾森半导体材料股份有限公司;艾森半导体材料(南通)有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117777863A

主分类号：C09G1/18

分类号：C09G1/18;H01L31/18;H01L31/028

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种IBC电池单晶硅及其碱抛光刻蚀添加剂、刻蚀液与刻蚀方法，属于单晶硅刻蚀技术领域。上述添加剂的原料包括0.5‑2%的水杨酸、0.1‑0.3%的2‑膦酸丁烷‑1,2,4‑三羧酸、0.1‑0.3%的葡萄糖内酯、0.1‑0.2%的羟基乙叉二磷酸、0.03‑0.1%的聚乙烯吡咯烷酮、0.5‑2%的苹果酸等。相应的碱抛光刻蚀液用于对原单晶硅片的表面进行抛光刻蚀，可使硅片表面腐蚀出金字塔塔基的形状，提高硅片的比表面积，有利于气相沉积的氮化硅与硅片的附着力，降低载流子的复合，提高少子的寿命，间接提升光电转换效率，还可在硅片表面形成一层疏水膜，降低碱液和添加剂的残留，提高电池片的良率。

主权项：1.一种IBC电池单晶硅碱抛光刻蚀添加剂，其特征在于，按质量百分比计，所述IBC电池单晶硅碱抛光刻蚀添加剂的制备原料包括0.5-2%的水杨酸、0.1-0.3%的2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸、0.1-0.3%的葡萄糖内酯、0.1-0.2%的羟基乙叉二磷酸、0.03-0.1%的聚乙烯吡咯烷酮、0.5-2%的苹果酸，余量为水。

全文数据：

权利要求：

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