申请/专利权人：广州美维电子有限公司

申请日：2023-11-01

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117794071A

主分类号：H05K3/00

分类号：H05K3/00

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及HDI板加工技术领域，且公开了一种精确计算最佳对位靶标位置的通盲孔HDI板对位系统，包括以下步骤：获取当前层外层最小通孔焊环RH和最小盲孔焊环RV的信息；确定当前层最佳图形对位标靶位置偏移XNEW,YNEW，分三种情况，对应三种最佳图形对位标靶位置偏移；得到的当前层最佳图形对位标靶位置偏移XNEW,YNEW；烧出当前层最佳图形对位标靶，进行对位、曝光，完成当前层图形转移制作。该精确计算最佳对位靶标位置的通盲孔HDI板对位系统，通过综合通孔对位系统及盲孔对位系统的偏移差、通孔和盲孔焊环的大小、镭射图形和通孔图形旋转、镭射图形和通孔图形的变形等方面的影响，完全基于坐标原理，通过科学的方法，精准计算出最佳的对位坐标。

主权项：1.一种精确计算最佳对位靶标位置的通盲孔HDI板对位系统，其特征在于，包括以下步骤：S1、镭射激光盲孔时，对于已经钻出的对位通孔，由镭射钻机获取当前层外层通孔的四个对位标靶位置偏移信息XH,YH；S2、镭射激光盲孔时，烧出盲孔参考层次外层的Sckving标靶，并由镭射钻机获取该Sckving标靶的四个位置偏移信息XV,YV；S3、获取当前层外层最小通孔焊环RH和最小盲孔焊环RV的信息；S4、综合计算XH,YH、XV,YV并比较最小通孔焊环RH和最小盲孔焊环RV的大小，确定当前层最佳图形对位标靶位置偏移XNEW,YNEW，分三种情况，对应三种最佳图形对位标靶位置偏移；S5、根据上述步骤得到的当前层最佳图形对位标靶位置偏移XNEW,YNEW，假设当前层图形对位标靶原坐标为X原，Y原，则当前层最佳图形对位标靶坐标将变更为X原+XNEW，Y原+YNEW；S6、根据最新的坐标信息，在镭射盲孔的同时，烧出当前层最佳图形对位标靶可以是圆环，但不限于圆环，随后进行后续的沉铜、电镀、填孔；S7、按镭射烧出的当前层最佳图形对位标靶X原+XNEW，Y原+YNEW进行对位、曝光，完成当前层图形转移制作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州美维电子有限公司 一种精确计算最佳对位靶标位置的通盲孔HDI板对位系统

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