申请/专利权人：东莞理工学院

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790623A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法，首先，用于制备Sb2Se3薄膜太阳电池器件的Mo基底先用乙醇、洗涤剂和去离子水清洗。清洗后的Mo基底在空气流下在炉中退火以生长MoO2调控层。另外，用一个未退火的Mo基底制备太阳电池作为对照组，最后通过一系列器件性能测试，有效降低了MoSe2界面层厚度及背接触势垒。本发明采用了空气退火工艺对太阳电池器件的Mo基底进行处理，修饰电池器件中MoSb2Se3背界面的接触特性，提高了基于底衬结构的Sb2Se3薄膜太阳电池的光电转换效率。

主权项：1.一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，MoO2调控层的制备；a1用于制备Sb2Se3薄膜太阳电池器件的Mo基底先用乙醇、洗涤剂和去离子水清洗；b1清洗后的Mo基底在空气流下在炉中退火以生长MoO2调控层；步骤S2，电池器件中的Sb2Se3吸收层制备；在多种Mo基底上通过射频磁控溅射的工艺方法制备Sb前驱体薄膜，Mo基底上制备的Sb前驱体薄膜放置在热处理炉进行硒化处理制备Sb2Se3吸收层；步骤S3，Sb2Se3薄膜太阳电池的制备；a3在多个样品上，通过化学水浴法分别制备CdS缓冲层；b3在制备完CdS以后，对薄膜进行干燥处理；c3将Sb2Se3CdS异质结在真空状态下进行退火处理；d3在CdS上采用磁控溅射的方法制备ITO层；e3用热蒸发的方法制备太阳电池器件的前电极；步骤S4，Sb2Se3薄膜太阳电池器件性能表征；对制备的多个器件，进行J-V曲线，变温暗态的J-V曲线，CV-DLCP及导纳谱的测试，进行相关性能的表征。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞理工学院 一种提高Sb2Se3薄膜太阳电池光伏性能的背界面修饰方法

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