申请/专利权人：福州大学

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117792389A

主分类号：H03M1/00

分类号：H03M1/00;H03M1/38;H03M1/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供了用于流水型逐次逼近ADC的CMOS开关自偏置全差分环形放大器，其由核心放大器结构和电路外围结构所组成；所述核心放大器结构包括：晶体管、CMOS开关；左自动校零电容、右自动校零电容、左自动校零开关以及右自动校零开关；第一级放大器左关断开关、第一级放大器右关断开关、第三级放大器左关断开关和第三级放大器右关断开关；尾电流源MTAIL；电路外围结构包括：前级负载电容后级负载电容、反馈电容以及多个开关；这些开关和电容与核心放大器共同构成开关电容放大器，通过电荷守恒技术将输入的残差电压线性放大，放大倍数为前级负载电容与反馈电容的比值。

主权项：1.用于流水型逐次逼近ADC的CMOS开关自偏置全差分环形放大器，其由核心放大器结构和电路外围结构所组成；所述核心放大器结构包括：1第一左晶体管、第二左晶体管、第三左晶体管、第四左晶体管、第五左晶体管、第六左晶体管、第一右晶体管、第二右晶体管、第三右晶体管、第四右晶体管、第五右晶体管以及第六右晶体管组成的三级级联反相放大器；2第七左晶体管、第七右晶体管和第八左晶体管、第八右晶体管组成的CMOS开关；3左自动校零电容、右自动校零电容、左自动校零开关以及右自动校零开关；4第一级放大器左关断开关、第一级放大器右关断开关、第三级放大器左关断开关和第三级放大器右关断开关；5尾电流源MTAIL；电路外围结构包括：左前级负载电容、右前级负载电容、左后级负载电容、右后级负载电容、左反馈电容、右反馈电容以及多个左开关以及右开关；这些开关和电容与核心放大器共同构成开关电容放大器，通过电荷守恒技术将输入的残差电压线性放大，放大倍数为前级负载电容与反馈电容的比值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福州大学 用于流水型逐次逼近ADC的CMOS开关自偏置全差分环形放大器

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