申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117794260A

主分类号：H10K30/30

分类号：H10K30/30;H10K30/60;H10K71/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种具有双电子注入阻挡层的通用结构的NIR‑OPD及其制备方法和应用，涉及有机半导体光电探测器领域。具体采用的具有双电子注入阻挡结构，即在器件的阳极与体异质结层之间引入“m‑MTDATADPEPO:HATCN”层，基于此获得的NIR‑OPD相较于传统结构具有更高的电子注入势垒及更宽的有效势垒宽度，从而在偏压下有效地阻挡了外电路电子的注入，明显地降低了器件的暗电流，同时保持了出色的光响应性能，因此器件实现了在‑2V偏压下远超过1012Jones的探测率，远远高于传统器件，实现了对微弱近红外信号光的探测。基于NIR‑OPD优异的探测性能实现了对于人体不同状态下的心率实时监测，表明了其具有广阔的应用前景。

主权项：1.具有双电子注入阻挡层的通用结构的NIR-OPD，其特征在于，包括第一功能层、光活性层、第二功能层；第一功能层为ZnO光生电子传输层；光活性层为PM6:BTP-BO-4Cl体异质结层或PTB7-Th:COTIC-4F:IEICO-4F体异质结层；第二功能层为外电路电子双阻挡层，结构为m-MTDATA层和DPEPO:HATCN层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 具有双电子注入阻挡层的通用结构的NIR-OPD及其制备方法和应用

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