申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2023-10-19

公开（公告）日：2024-03-05

公开（公告）号：CN117645314A

主分类号：C01G15/00

分类号：C01G15/00;B82Y40/00;H01L31/032;H01L31/109;H01L31/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本发明提供了一种非晶氧化镓纳米片及其制备方法和UV‑Vis‑NIR宽谱光电探测器，包括以下步骤：将乙酰丙酮镓与KNO3粉末混合，煅烧，洗涤，得到非晶氧化镓纳米片。该方法制备的非晶氧化镓纳米片为大小约几个微米，厚度约10‑40nm的纳米片。该非晶氧化镓纳米片为具有低占比四面体中心Ga的非晶纳米片，该非晶氧化镓纳米片具有宽谱吸收和自旋极化的性能优点。本发明将上述非晶氧化镓纳米片与导电硅片和石墨烯组装成具有垂直结构光电探测器，形成了由肖特基结和p‑n结串联组成的一对背对背整流结，使其具有较低的暗电流。基于该非晶氧化镓的具有垂直结构的光电探测器表现出优异的UV‑Vis‑NIR宽谱光电探测性能。

主权项：1.一种非晶氧化镓纳米片的制备方法，包括以下步骤：将乙酰丙酮镓与KNO3粉末混合，煅烧，洗涤，得到非晶氧化镓纳米片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 一种非晶氧化镓纳米片、UV-Vis-NIR宽谱光电探测器及制备方法

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