申请/专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司;南昌实验室

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117772714A

主分类号：B08B7/00

分类号：B08B7/00;B08B9/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种MOCVD反应腔的清洁系统及清洁方法。所述清洁系统包括激光装置、清洁装置。其中，激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1。激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔的内表面，实现对MOCVD反应腔的内腔表面的清洁。通过设置激光束的能量密度，可以确保MOCVD反应腔的清理效果又不会破坏MOCVD反应腔。清洁装置在清洁过程中持续吸收飞溅颗粒，防止飞溅颗粒扩散到其他区域。该清洁系统具有非接触、高效率、灵活性高等优点。

主权项：1.一种MOCVD反应腔的清洁系统，其特征在于：所述清洁系统包括：激光装置、清洁装置；激光装置安装于MOCVD反应腔的侧面，且激光装置的轴线与MOCVD反应腔的法线方向的夹角为α；清洁装置偏置在MOCVD反应腔的下方，清洁装置的轴线和MOCVD反应腔的轴线距离为D1；激光装置发射的激光束经清洁装置调整路径后到达MOCVD反应腔，实现对MOCVD反应腔的清洁。

全文数据：

权利要求：

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