申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所

申请日：2023-12-04

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117776259A

主分类号：C01G28/00

分类号：C01G28/00;H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/102

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本公开提供一种砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供一石墨烯锗复合衬底；氧化衬底；在衬底覆盖石墨烯的表面沉积金薄膜；调节反应温度至第一温度，以便金薄膜形成金液滴；以金液滴为催化剂，在衬底上外延生长砷化铟纳米线。本公开提供的制备方法能够显著提高石墨烯衬底上生长的砷化铟纳米线的长度和密度，实现高质量、大面积的超长砷化铟纳米线的制备。

主权项：1.一种砷化铟纳米线的制备方法，其特征在于，包括：提供一石墨烯锗复合衬底；氧化所述衬底；在所述衬底覆盖石墨烯的表面沉积金薄膜；调节反应温度至第一温度，以便所述金薄膜形成金液滴；以所述金液滴为催化剂，在所述衬底上外延生长砷化铟纳米线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线

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