申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2019-05-31

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN112010259B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2020.12.18#实质审查的生效;2020.12.01#公开

摘要：本发明提供了一种用于转移器官芯片中多孔PDMS薄膜的方法，包括：在衬底上旋涂光刻胶，再对光刻胶进行曝光处理；对曝光后的光刻胶进行表面氧等离子处理，在其上旋涂PDMS薄膜，固化；将所述固化后的PDMS薄膜光刻图形化；将图形化后的PDMS薄膜与器官芯片上层通道键合，将键合后的组合模块置于显影液中超声，即可将PDMS薄膜转移至器官芯片的上层通道。本发明利用泛曝光过后的光刻胶做牺牲层进行PDMS薄膜的转移，使得PDMS薄膜在与器官芯片上层通道键合后，可在显影液中充分溶解光刻胶，从而实现薄膜的转移。不用丙酮有机溶剂浸泡的方式，而且无光刻胶残留。本方法与常规半导体加工工艺相兼容，操作步骤简单，可重复性好。

主权项：1.一种用于转移器官芯片中多孔PDMS薄膜的方法，其特征在于，包括：A）在衬底上旋涂光刻胶，再对光刻胶进行曝光处理；B）对曝光后的光刻胶进行表面氧等离子处理，在其上旋涂PDMS薄膜，固化；所述表面氧等离子处理具体为：氧气流量为30sccm，射频功率为30w，表面处理时间为2~4min；C）将所述固化后的PDMS薄膜光刻图形化；D）将图形化后的PDMS薄膜与器官芯片上层通道键合，将键合后的组合模块置于显影液中超声，即可将PDMS薄膜转移至器官芯片的上层通道；超声时间为5~10min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 一种用于转移器官芯片中多孔PDMS薄膜的方法

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