申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-08-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN111223774B

主分类号：H01L21/3105

分类号：H01L21/3105;H01L27/146

优先权：["20181123 KR 10-2018-0146663"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2020.06.02#公开

摘要：一种晶片平坦化方法，包括在具有芯片区域和划线区域的基板上形成第二绝缘层和抛光层；在芯片区域和划线区域中的抛光层中形成第一通孔并且在芯片区域中的第二绝缘层中形成第二通孔，其中第二通孔与第一通孔在芯片区域中相接；在第一通孔和第二通孔内以及抛光层的上表面上形成焊盘金属层；通过化学机械抛光CMP工艺抛光该抛光层和焊盘金属层，以暴露芯片区域和划线区域中的第二绝缘层的上表面。

主权项：1.一种晶片平坦化方法，包括：在具有芯片区域和划线区域的基板上形成第二绝缘层和抛光层；在所述芯片区域和所述划线区域中的所述抛光层中形成第一通孔并且在所述芯片区域中的所述第二绝缘层中形成第二通孔，其中所述第二通孔与所述第一通孔在所述芯片区域中彼此连接，并且在整个所述芯片区域中，所述第二通孔具有与所述第一通孔的俯视图相同的俯视图；在所述第一通孔和所述第二通孔内以及在所述抛光层的上表面上形成焊盘金属层；和通过化学机械抛光工艺抛光所述抛光层和所述焊盘金属层，以暴露所述芯片区域和所述划线区域中的所述第二绝缘层的上表面，使得没有焊盘金属层留在所述划线区域中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 用于晶片平坦化的方法和通过其制造的图像传感器

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