申请/专利权人：武汉中导光电设备有限公司

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117558645B

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;G06T7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明公开了一种大数据Wafer缺陷确定方法、装置、设备及存储介质，所述方法通过对待检测晶圆Wafer进行缺陷检测，在检测到待检测Wafer有缺陷时，获得缺陷属性；根据所述缺陷属性对所述待检测Wafer进行缺陷分析，获得分析结果；判断所述分析结果是否具有Die级规律和Mask级规律，根据判断结果确定缺陷类型；能够对缺陷进行宏观的分析，对现有的检测结果进行深度挖掘，按照缺陷的特点来分析其来源，协助提升了Wafer芯片的制造工艺，提升了Wafer缺陷确定的精度，提高了大数据Wafer缺陷确定的速度和效率。

主权项：1.一种大数据Wafer缺陷确定方法，其特征在于，所述大数据Wafer缺陷确定方法包括：对待检测晶圆Wafer进行缺陷检测，在检测到待检测Wafer有缺陷时，获得缺陷属性；根据所述缺陷属性对所述待检测Wafer进行缺陷分析，获得分析结果；判断所述分析结果是否具有Die级规律和Mask级规律，根据判断结果确定缺陷类型；其中，所述判断所述分析结果是否具有Die级规律和Mask级规律，根据判断结果确定缺陷类型，包括：判断所述分析结果是否具有Die级规律和Mask级规律；在所述分析结果不具有所述Die级规律时，判定当前缺陷的缺陷类型为无规律缺陷；在所述分析结果具有所述Die级规律时，进一步判断所述分析结果是否具有所述Mask级规律；在所述分析结果不具有所述Mask级规律时，判定所述当前缺陷的缺陷类型为Die级缺陷；在所述分析结果具有所述Mask级规律时，判定所述当前缺陷的缺陷类型为Mask级缺陷；其中，所述判断所述分析结果是否具有Die级规律和Mask级规律，包括：对所述分析结果进行大数据过滤分析，在确定每个Die上存在晶粒位置缺陷，且所述晶粒位置缺陷具有分布规律时，判定所述分析结果具有Die级规律；对所述分析结果进行大数据过滤分析，在确定每个Mask上存在光掩模版位置缺陷，且所述光掩模版位置缺陷具有分布规律时，判定所述分析结果具有Mask级规律。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉中导光电设备有限公司 大数据Wafer缺陷确定方法、装置、设备及存储介质

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