申请/专利权人：原子能和替代能源委员会

申请日：2019-12-11

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN113260836B

主分类号：G01J5/20

分类号：G01J5/20

优先权：["20181213 FR 1872785"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.08.13#公开

摘要：本发明涉及一种形成用于检测电磁辐射的检测结构10的方法，该检测结构包括作为换能器的MOS晶体管100。该方法基于使用侧向延伸元件134，135，136作为用于晶体管的半导体层113P的掺杂掩模和用于同一半导体层113P的蚀刻掩模，以提供晶体管100的漏极和源极的接触部分111A，112A。本发明还涉及一种能够通过这种方法获得的检测结构10。

主权项：1.一种制造用于检测电磁辐射的检测结构的方法，所述检测结构包括作为换能器的MOS晶体管100，所述方法包括以下步骤：-提供具有第一多数载流子浓度的半导体层113P，所述半导体层为本征类型或第一导电类型的半导体层，-将至少一个第一介电材料沉积到所述半导体层的表面上，以形成至少一个第一绝缘层131P，-沉积与所述至少一个第一绝缘层131P接触的第一导电材料，以形成第一导电层121P，-沉积与所述第一导电层121P接触的掩模层122P，-局部蚀刻所述掩模层122P和所述第一导电层121P，以形成掩模层第一导电层组件，所述第一导电层121在被局部蚀刻之后，通过覆盖所述半导体层113P的第一部分而至少部分地形成所述MOS晶体管100的栅电极120，-在所述半导体层113P中进行掺杂元素的第一注入，所述半导体层113P的所述第一部分受到所述掩模层第一导电层组件保护，所述第一注入以第一剂量进行，适于提供高于所述第一多数载流子浓度的第二多数载流子浓度，所述掺杂元素能够提供具有给定导电类型的多数载流子，-形成由至少一种介电材料制成的第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件134，135，136，所述第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件在所述掩模层第一导电层组件的两侧上与所述第一绝缘层131P接触，且所述第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件从所述掩模层第一导电层组件彼此相对地延伸，-在所述半导体层中进行掺杂元素的第二注入，所述半导体层的第二部分，包括所述半导体层的所述第一部分，受到所述掩模层第一导电层组件以及从所述掩模层第一导电层组件延伸的所述第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件保护，所述第二注入以高于所述第一剂量的第二剂量进行，适于提供高于所述第二多数载流子浓度的第三多数载流子浓度，所述掺杂元素能够提供具有所述给定导电类型的多数载流子，-对所述半导体层进行热退火，所述热退火能够扩散和活化在所述第一注入和第二注入期间所注入的所述掺杂元素，以形成所述MOS晶体管的第一区域和第二区域111，112，对于所述第一区域和第二区域中的每一个区域，第一区111A，112A的多数载流子浓度严格高于所述第二多数载流子浓度，且第二区111B，112B的多数载流子浓度等于或低于所述第二多数载流子浓度，所述第一区111A，112A分别部分地覆盖有所述第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件，所述第一区域和第二区域111，112，113通过所述MOS晶体管的覆盖有所述第一绝缘层的第三区域113彼此分开，-对所述半导体层113P的未受到所述掩模层第一导电层组件以及从所述掩模层第一导电层组件延伸的所述第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件保护的部分进行选择性蚀刻，所述选择性蚀刻使得能够仅保留所述第一区域和第二区域111，112中的每一个区域的所述第一区111A，112A的受到所述第一侧向延伸部分和第二侧向延伸部分134，135保护的部分，因此第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件中的每一个侧向延伸元件的一个端部沿着垂直于所述半导体层113P的平面的方向与所述半导体层113P的相应侧面对准，-沉积至少一个第二导电材料，以形成第一金属接触部和第二金属接触部，所述第一金属接触部和第二金属接触部中的每一个金属接触部仅在分别对应于所述第一侧向延伸元件和第二侧向延伸元件的蚀刻侧面上与所述半导体层113P接触，所述第一金属接触部和第二金属接触部126，126B，127中的至少一个金属接触部形成被配置为吸收电磁辐射的吸收元件128，因此形成所述MOS晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 原子能和替代能源委员会 用于制造具有最佳吸收率的检测结构的方法以及所述结构

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