申请/专利权人：天津大学

申请日：2021-09-28

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN113809904B

主分类号：H02M1/12

分类号：H02M1/12;H02M7/04;H02M1/00;H02M3/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要：本发明公开了一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器，包括磁芯及周边排布的绕组，所述磁芯7进一步包括四个中柱1和四个边柱2，所述绕组进一步包括原边绕组和副边绕组；其中：每个中柱1和每个边柱2的周边排布有原边绕组和副边绕组，构成变压器；在中柱1中：上边为两层中柱原边绕组3，下边为四层中柱副边绕组5；在边柱2中：上边为两层边柱原边绕组4，下边为四层边柱副边绕组6；中柱1和边柱2均留有气隙lg1、lg2；对气隙lg1、lg2的控制带来了变压器的漏感和励磁电感相互解耦，从而满足LLC谐振变换器调压时对电感比的需求。与现有技术相比，本发明实现了励磁电感和漏感解耦控制的方案。

主权项：1.一种基于LLC拓扑磁集成的矩阵变压器，包括磁芯及绕组，其特征在于，所述磁芯（7）进一步包括四个中柱（1）和四个边柱（2），所述绕组进一步包括原边绕组和副边绕组；每个中柱（1）和每个边柱（2）朝向磁场一侧排布有原边绕组和副边绕组，构成变压器；其中：在所述中柱（1）中：上边为两层中柱原边绕组（3），且每层为四匝线圈相互串联，下边为四层中柱副边绕组（5），两两并联；在所述边柱（2）中：上边为两层边柱原边绕组（4），且每层为四匝线圈相互串联，下边为四层边柱副边绕组（6），两两并联；副边绕组与原边绕组之间留有间距；所述中柱（1）和所述边柱（2）在相应的副边绕组位置处具有两侧向内凹且形状类似14圆的空间，用于放置副边绕组，以削弱副边绕组之间的耦合；所述中柱（1）和所述边柱（2）均留有气隙lg1、lg2，且lg1、lg2大小不同；所述磁芯结构包括被气隙分割成的两部分；对气隙lg1、lg2的控制带来了变压器的漏感和励磁电感相互解耦，从而满足LLC谐振变换器调压时对电感比的需求。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 一种基于LLC谐振变换器拓扑磁集成的矩阵变压器

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