申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117802476A

主分类号：C23C16/30

分类号：C23C16/30;C01G39/06;C23C16/448

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种低压两步制备厘米级二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明中，第一步将五氧化钼融入熔融态的钠钙玻璃作为钼源。第二步在钠离子的催化下，硫粉和五氧化钼在熔融态钠钙玻璃内部反应生成二硫化钼，进而扩散到熔融态玻璃表面，最后在载气带动下，在下游的二氧化硅硅衬底上沉积形成连续薄膜。本发明在二氧化硅硅衬底上直接合成的厘米级高质量二硫化钼薄膜，有望促进其在电学器件上的进一步应用。

主权项：1.一种通过低压两步制备厘米级二硫化钼MoS2薄膜的方法，包括以下步骤：1清洗石墨舟和衬底：分别将石墨舟、厘米级的钠钙玻璃和重掺p型SiO2Si衬底放入丙酮超声15min，无水乙醇15min，去离子水15min，用氮气枪吹干。2制备钼Mo源：a用电子秤称量五氧化钼粉末MoCl51-50mg，将称量好的MoCl5粉末平铺在石墨舟，然后盖上钠钙玻璃，最后将石墨舟里送入管式炉的中心温区，如图1所示；b在氩气10-50sccm下，将中心温区升温至750℃，保温10-30min，使得MoCl5进入熔融态的钠钙玻璃，然后自然冷却至室温，即得到下一步用于生长的钼源。3制备MoS2薄膜：a用电子秤称量硫粉S30-2000mg，将称量好的S粉、含有MoCl5的钠钙玻璃和SiO2Si衬底分别送入管式炉的第一、第二和第三温区，如图2所示；b在氩气500sccm下，将第一、第二和第三温区升温至110℃，保温10min，去除水蒸气；c在氩气500sccm下,将生长腔室抽至生长压强50-100Pa，接着将第一、第二和第三温区分别升温至150-350℃、750-850℃和750-900℃生长温度，然后保温5-60min，进行MoS2薄膜生长，最后自然冷却至室温，即得到厘米级的MoS2薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种低压两步制备厘米级二硫化钼薄膜的方法

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