申请/专利权人：宁波数字孪生(东方理工)研究院;宁波比昂芯科技有限公司

申请日：2023-12-06

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117811563A

主分类号：H03K19/00

分类号：H03K19/00;H03K19/094;H03K19/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种低功耗电平转换电路，包括第一反相器、第一缓冲器、第二缓冲器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管和第七二极管，第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管和第六二极管均为齐纳二极管，第七二极管为普通二极管，第四PMOS管为大功率PMOS管；优点是在高低压电源不同步上电时输出逻辑电平确定，安全性较高，且不需要专门的LDO电路和基准电路来实现带驱动能力的基准偏置电压，面积和功耗均较小。

主权项：1.一种低功耗电平转换电路，其特征在于包括第一反相器、第一缓冲器、第二缓冲器、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管和第七二极管，所述的第一二极管、所述的第二二极管、所述的第三二极管、所述的第四二极管、所述的第五二极管和所述的第六二极管均为齐纳二极管，所述的第七二极管为普通二极管，所述的第四PMOS管为大功率PMOS管，所述的第三电阻的阻值为MΩ级，所述的第一NMOS管和所述的第二NMOS管的阈值电压均不高于0.6V；所述的第一缓冲器、所述的第二缓冲器和所述的第一反相器均具有第一电源端、第二电源端、输入端和输出端，所述的第一缓冲器的第一电源端和所述的第一反相器的第一电源端均接入电源电压VDD，所述的第二缓冲器的第一电源端、所述的第一二极管的阴极、所述的第一PMOS管的源极、所述的第二PMOS管的源极、所述的第三二极管的阴极、所述的第三电阻的一端、所述的第五二极管的阴极和所述的第四PMOS管的源极均接入电源电压VCC，电源电压VDD低于电源电压VCC，所述的第一缓冲器的第二电源端、所述的第一反相器的第二电源端、所述的第一NMOS管的源极、所述的第二NMOS管的源极、所述的第四电阻的一端和所述的第三PMOS管的漏极均接地，所述的第一缓冲器的输入端为所述的低功耗电平转换电路的输入端，所述的第一缓冲器的输出端分别与所述的第一NMOS管的栅极和所述的第一反相器的输入端相连，所述的第一反相器的输出端与所述的第二NMOS管的栅极连接，所述的第一NMOS管的漏极和所述的第一电阻的一端连接，所述的第一电阻的另一端、所述的第一PMOS管的漏极、所述的第二二极管的阳极和所述的第二PMOS管的栅极连接，所述的第二二极管的阴极与所述的第一二极管的阳极连接，所述的第二NMOS管的漏极和所述的第二电阻的一端连接，所述的第二电阻的另一端、所述的第二PMOS管的漏极、所述的第四二极管的阳极、所述的第一PMOS管的栅极、所述的第三电阻的另一端和所述的第二缓冲器的输入端连接，所述的第四二极管的阴极与所述的第三二极管的阳极连接，所述的第二缓冲器的第二电源端与所述的第三PMOS管的源极连接，所述的第二缓冲器的输出端与所述的第四PMOS管的栅极连接，所述的第四PMOS管的漏极为所述的低功耗电平转换电路的输出端，所述的第四电阻的另一端、所述的第七二极管的阴极和所述的第三PMOS管的栅极连接，所述的第七二极管的阳极和所述的第六二极管的阳极相连，所述的第六二极管的阴极和所述的第五二极管的阳极相连。

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权利要求：

百度查询： 宁波数字孪生(东方理工)研究院;宁波比昂芯科技有限公司 一种低功耗电平转换电路

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