申请/专利权人：浙江海创锂电科技有限公司

申请日：2023-12-31

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117800409A

主分类号：C01G53/00

分类号：C01G53/00;C01G51/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明为三元正极材料前驱体技术领域，涉及一种高镍覆钴表面多孔前驱体制备方法。所述方法是通过共沉淀反应合成镍钴锰氢氧化物后，以一定的流量通入硫酸钴溶液，并调整反应体系的氨值、转速等条件，最后经过泡碱、洗涤、烘干、除铁等后处理得到表面覆钴多孔氢氧化物。本发明制备的前驱体是以镍钴锰氢氧化物为核，壳层为疏松多孔氢氧化钴，具有较大的比表面积且振实密度不受影响，有望进一步提高表面的离子与电子导电性及容量保持率。

主权项：1.一种高镍覆钴表面多孔前驱体制备方法，其特征在于，包含以下步骤；1以可溶性的镍盐、钴盐、锰盐为金属源，配置一定浓度的金属盐溶液；2向反应釜中加入底液并通入保护气氛，浓缩机一并循环；3向反应釜通入金属盐溶液、络合剂、沉淀剂，保持一定温度、PH、转速、氨值，反应过程中保持工艺参数在设定范围之内，到达设定目标粒度，停止加料；4配置一定浓度的钴盐溶液，向步骤3反应釜通入钴盐溶液进行包覆，包覆结束后进行后处理后得到表面覆钴多孔氢氧化物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江海创锂电科技有限公司 一种高镍覆钴表面多孔前驱体制备方法

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