申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司
申请日:2022-09-23
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810220A
主分类号:H01L27/02
分类号:H01L27/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本申请提供一种半导体结构,半导体结构包括:衬底和位于衬底内的第一泄放结构,第一泄放结构连接输入输出端,第一泄放结构还连接第一电源端,第一泄放结构用于在输入输出端有静电电荷时形成输入输出端和第一电源端之间的第一泄放路径,使静电电荷经过第一泄放路径泄放至第一电源端,第一泄放结构还用于在输入输出端有静电电荷时形成输入输出端和衬底之间的第二泄放路径,使静电电荷经过第二泄放路径泄放至衬底。通过如此设置,提升半导体结构的静电泄放能力。
主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括:衬底和位于衬底内的第一泄放结构;所述第一泄放结构连接输入输出端,所述第一泄放结构还连接第一电源端,所述第一泄放结构用于在所述输入输出端有静电电荷时形成所述输入输出端和所述第一电源端之间的第一泄放路径,使所述静电电荷经过所述第一泄放路径泄放至所述第一电源端;所述第一泄放结构还用于在所述输入输出端有所述静电电荷时形成所述输入输出端和所述衬底之间的第二泄放路径,使所述静电电荷经过所述第二泄放路径泄放至所述衬底。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 长鑫存储技术有限公司 半导体结构
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