申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117804510A

主分类号：G01D5/26

分类号：G01D5/26;G01D18/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：一种光电传感器结构和灵敏度的测试方法，方法包括：提供光电传感器结构，包括：像素单元，包括光电二极管，光电二极管包括第一N型区；传输晶体管，包括传输栅极、位于传输栅极一侧的传输源极以及位于传输栅极另一侧的传输漏极，传输源极与第一N型区连接；放大晶体管，包括放大栅极、位于放大栅极一侧的放大源极以及位于放大栅极另一侧的放大漏极，放大栅极与传输漏极电连接，与放大栅极连接的一端作为待测端；获得光电传感器结构中与待测端的电压变化相关的电容的总和，作为测试电容；基于测试电容，获得光电传感器结构的灵敏度。本发明实施例有利于简化灵敏度测试的复杂度，并且较早地获得光电传感器灵敏度的测试数据，有利于缩短开发周期。

主权项：1.一种光电传感器结构，其特征在于，包括：像素单元，包括光电二极管，所述光电二极管包括第一N型区；传输晶体管，包括传输栅极、位于所述传输栅极一侧的传输源极以及位于所述传输栅极另一侧的传输漏极，所述传输源极与所述第一N型区连接；放大晶体管，包括放大栅极、位于放大栅极一侧的放大源极以及位于放大栅极另一侧的放大漏极，所述放大栅极与所述传输漏极电连接，与所述放大栅极连接的一端作为待测端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光电传感器结构和光电传感器灵敏度的测试方法

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